Zobrazeno 1 - 10
of 171
pro vyhledávání: '"Ambipolar transistors"'
Publikováno v:
Discover Nano, Vol 19, Iss 1, Pp 1-8 (2024)
Abstract Low-frequency noise (LFN) characteristics of semiconductor devices pose a significant importance for understanding their working principle, particularly concerning material imperfections. Accordingly, substantial research endeavors have focu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4b0c2718b35f4b8985398f1b7054da42
Autor:
Roshan Jesus Mathew, Kai‐Hsiang Cheng, Christy Roshini Paul Inbaraj, Raman Sankar, Xuan P.A. Gao, Yit‐Tsong Chen
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 8, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Novel anti‐ambipolar transistors (AATs) are gate tunable rectifiers with a marked potential for multi‐valued logic circuits. In this work, the optoelectronic applications of AATs in cryogenic conditions are studied, of which the AAT devi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb2bd1a8fe164d73ac63376d2e3f77c7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yoshitaka Shingaya, Amir Zulkefli, Takuya Iwasaki, Ryoma Hayakawa, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 1, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract A dual‐gate anti‐ambipolar transistor (AAT) with a two‐dimensional ReS2 and WSe2 heterojunction is developed. The characteristic Λ‐shaped transfer curves yielded by the bottom‐gate voltage are effectively controlled by the top‐g
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3893960294d244a7a799c9e01c2aaff1
Autor:
Junyi Zhu, Takehiko Mori
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 1, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Characteristics of anti‐ambipolar transistors (AATs) are perfectly represented by a model of series transistors, and the transistor parameters are extracted from experimentally observed characteristics, where not only the transfer but also
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5e8e82fa89604f2eac913e1870f734cf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 933-938 (2021)
Flexible electronic devices featured with miniaturization, light weight and integration, can meet the needs of new generation mobile electronics, and thus have received extensive attention. Obtaining the stable logic devices on flexible substrates is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/84ae70123b644bc69fccf0b3c1f739a3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.