Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Ambipolar semiconductors"'
Autor:
Liangliang Chen, Zhengsheng Qin, Han Huang, Jing Zhang, Zheng Yin, Xiaobo Yu, Xi‐sha Zhang, Cheng Li, Guanxin Zhang, Miaofei Huang, Huanli Dong, Yuanping Yi, Lang Jiang, Hongbing Fu, Deqing Zhang
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 15, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Emissive organic semiconductors are highly demanding for organic light‐emitting transistors (OLETs) and electrically pumped organic lasers (EPOLs). However, it remains a great challenge to obtain organic semiconductors with high carrier mo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f4ede97de154b4b9d05fd6c06cf4d86
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Hermann, M, Grenz, D C & Esser, B 2023, ' Engineering the packing structure of thioether-and sulfone-substituted dibenzo[a,e]pentalenes by pentafluorophenyl substitution ', Journal of Physical Organic Chemistry, vol. 36, no. 6, e4491 . https://doi.org/10.1002/poc.4491
Dibenzo[a,e]pentalene derivatives as nonalternant conjugated hydrocarbons are attractive for use as ambipolar or n-type semiconductors in field-effect transistors. For organic semiconductors, not only the energy levels of the frontier molecular orbit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c1ae8ce033817252d0f0b9a4615542fb
https://curis.ku.dk/ws/files/346957216/J_of_Physical_Organic_Chem_2023_Hermann_Engineering_the_packing_structure_of_thioether_and_sulfone_substituted.pdf
https://curis.ku.dk/ws/files/346957216/J_of_Physical_Organic_Chem_2023_Hermann_Engineering_the_packing_structure_of_thioether_and_sulfone_substituted.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jae-Joon Kim, Seon Baek Lee, Edsger C. P. Smits, Dongkyu Lee, Kilwon Cho, Hocheon Yoo, Gerwin H. Gelinck
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, 4(5):1700536. Wiley-VCH Verlag
Split-gate ambipolar organic transistor technology is gaining interests as a practical solution for the implementation of complementary transistors. It is known that conventional ambipolar transistors suffer from poor DC gain, noise margin, and high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0cf7e215483b11a70f0ad07b51bb3bb1
https://research.tue.nl/nl/publications/2b42226e-0767-40d7-932c-3ca0e4ae01fe
https://research.tue.nl/nl/publications/2b42226e-0767-40d7-932c-3ca0e4ae01fe