Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"Aluminium scandium nitride"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mertin, Stefan, Heinz, Bernd, Rattunde, Oliver, Christmann, Gabriel, Dubois, Marc-Alexandre, Nicolay, Sylvain, Muralt, Paul
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 15 June 2018 343:2-6
Autor:
Agnė Žukauskaitė
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 1067 (2023)
The enhanced piezoelectric properties of aluminum scandium nitride (Al1−xScxN or AlScN) were discovered in 2009 by Morito Akiyama’s team [...]
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98a7f46a469a4822b3a5fe53c947359e
Autor:
Zukauskaite, Agne
Not so long ago, aluminium scandium nitride (AlScN) emerged as a material that possesses superior properties as compared to aluminium nitride (AlN). Substituting Al with Sc in AlN leads to a dramatic increase in the piezoelectric coefficient as well
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::b8eb17b5b71d11b8ab60b8f1fff4de45
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/443049
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/443049
Autor:
Marc Dubois, Gabriel Christmann, Oliver Rattunde, Stefan Mertin, Paul Muralt, Sylvain Nicolay, Bernd Heinz
Publikováno v:
Mertin, S, Heinz, B, Rattunde, O, Christmann, G, Dubois, M A, Nicolay, S & Muralt, P 2018, ' Piezoelectric and structural properties of c-axis textured aluminium scandium nitride thin films up to high scandium content ', Surface and Coatings Technology, vol. 343, pp. 2-6 . https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.01.046
Partial substitution of aluminium by scandium in the wurtzite structure of aluminium nitride (AlN) leads to a large increase of the piezoelectric response by more than a factor of 2. Therefore, aluminium scandium nitride (ASN) thin films attracted mu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5859587d6480d64aac22065ac9f76a3e
https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.01.046
https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.01.046
Autor:
Oliver Rattunde, Gabriel Christmann, Bernd Heinz, Stefan Mertin, M.-A. Dubois, Paul Muralt, Fazel Parsapour, Cosmin S. Sandu, Clemens Nyffeler, Vladimir Pashchenko
Publikováno v:
2017 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS).
Aluminium scandium nitride (ASN) exhibits a largely enhanced piezoelectric response as compared to aluminium nitride (AlN), which makes it an upcoming piezoelectric material for use in next generation RF filters, sensors, actuators and energy harvest
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ab12ab48ec3cd2cc78d4bde241ba2cd
https://doi.org/10.1109/ultsym.2017.8092187
https://doi.org/10.1109/ultsym.2017.8092187
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 11, p 1961 (2022)
III-V solid solutions are sensitive to growth conditions due to their stochastic nature. The highly crystalline thin films require a profound understanding of the material properties and reliable means of their determination. In this work, we have in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c8b6226e41704256b5b8404583ae2984
Autor:
Jingxiang Su, Simon Fichtner, Muhammad Zubair Ghori, Niklas Wolff, Md. Redwanul Islam, Andriy Lotnyk, Dirk Kaden, Florian Niekiel, Lorenz Kienle, Bernhard Wagner, Fabian Lofink
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 783 (2022)
In this work, we present a method for growing highly c-axis oriented aluminum scandium nitride (AlScN) thin films on (100) silicon (Si), silicon dioxide (SiO2) and epitaxial polysilicon (poly-Si) substrates using a substrate independent approach. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a29618bc8bf540fe8662e1dc9caa2f68
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.