Zobrazeno 1 - 10
of 175
pro vyhledávání: '"Althammer, M."'
Autor:
Flaschmann, R., Schmid, C., Zugliani, L., Strohauer, S., Wietschorke, F., Grotowski, S., Jonas, B., Müller, M., Althammer, M., Gross, R., Finley, J. J., Müller, K.
We investigate the growth conditions for thin (less than 200 nm) sputtered aluminum (Al) films. These coatings are needed for various applications, e.g. for advanced manufacturing processes in the aerospace industry or for nanostructures for quantum
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.17980
Publikováno v:
Mater. Quantum. Technol. 1 021002 (2021)
Aluminum nitride (AlN) is an emerging material for integrated quantum photonics with its excellent linear and nonlinear optical properties. In particular, its second-order nonlinear susceptibility $\chi^{(2)}$ allows single-photon generation. We have
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2103.08318
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nakayama, H., Althammer, M., Chen, Y. -T., Uchida, K., Kajiwara, Y., Kikuchi, D., Ohtani, T., Geprägs, S., Opel, M., Takahashi, S., Gross, R., Bauer, G. E. W., Goennenwein, S. T. B., Saitoh, E.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 110, 206601 (2013)
We report anisotropic magnetoresistance in Pt|Y3Fe5O12 bilayers. In spite of Y3Fe5O12 being a very good electrical insulator, the resistance of the Pt layer reflects its magnetization direction. The effect persists even when a Cu layer is inserted be
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1211.0098
Autor:
Coll, M., Fontcuberta, J., Althammer, M., Bibes, M., Boschker, H., Calleja, A., Cheng, G., Cuoco, M., Dittmann, R., Dkhil, B., El Baggari, I., Fanciulli, M., Fina, I., Fortunato, E., Frontera, C., Fujita, S., Garcia, V., Goennenwein, S.T.B., Granqvist, C.-G., Grollier, J., Gross, R., Hagfeldt, A., Herranz, G., Hono, K., Houwman, E., Huijben, M., Kalaboukhov, A., Keeble, D.J., Koster, G., Kourkoutis, L.F., Levy, J., Lira-Cantu, M., MacManus-Driscoll, J.L., Mannhart, Jochen, Martins, R., Menzel, S., Mikolajick, T., Napari, M., Nguyen, M.D., Niklasson, G., Paillard, C., Panigrahi, S., Rijnders, G., Sánchez, F., Sanchis, P., Sanna, S., Schlom, D.G., Schroeder, U., Shen, K.M., Siemon, A., Spreitzer, M., Sukegawa, H., Tamayo, R., van den Brink, J., Pryds, N., Granozio, F. Miletto
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 July 2019 482:1-93
Autor:
Czeschka, F. D., Dreher, L., Brandt, M. S., Weiler, M., Althammer, M., Imort, I. -M., Reiss, G., Thomas, A., Schoch, W., Limmer, W., Huebl, H., Gross, R., Goennenwein, S. T. B.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 107, 046601 (2011)
We systematically measured the DC voltage V_ISH induced by spin pumping together with the inverse spin Hall effect in ferromagnet/platinum bilayer films. In all our samples, comprising ferromagnetic 3d transition metals, Heusler compounds, ferrite sp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.3017
Voltage controlled inversion of magnetic anisotropy in a ferromagnetic thin film at room temperature
Autor:
Weiler, M., Brandlmaier, A., Gepraegs, S., Althammer, M., Opel, M., Bihler, C., Huebl, H., Brandt, M. S., Gross, R., Goennenwein, S. T. B.
Publikováno v:
New J. Phys. 11 013021 (2009)
The control of magnetic properties by means of an electric field is an important aspect in magnetism and magnetoelectronics. We here utilize magnetoelastic coupling in ferromagnetic/piezoelectric hybrids to realize a voltage control of magnetization
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0810.0389
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nielsen, A., Brandlmaier, A., Althammer, M., Kaiser, W., Opel, M., Simon, J., Mader, W., Goennenwein, S. T. B., Gross, R.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 93, 162510 (2008)
Oxide based ferromagnet/semiconductor heterostructures offer substantial advantages for spin electronics. We have grown (111) oriented Fe3O4 thin films and Fe3O4/ZnO heterostructures on ZnO(0001) and Al2O3(0001) substrates by pulsed laser deposition.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0808.2245