Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Aller, Henry T."'
Autor:
Aller, Henry T., Pfeifer, Thomas W., Mamun, Abdullah, Huynh, Kenny, Tadjer, Marko, Feygelson, Tatyana, Hobart, Karl, Anderson, Travis, Pate, Bradford, Jacobs, Alan, Lundh, James Spencer, Goorsky, Mark, Khan, Asif, Hopkins, Patrick, Graham, Samuel
This study investigates thermal transport across nanocrystalline diamond/AlGaN interfaces, crucial for enhancing thermal management in AlGaN/AlGaN-based devices. Chemical vapor deposition growth of diamond directly on AlGaN resulted in a disordered i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.08076
In this study, we added vacancies adjacent to a Si/Ge interface to create a disordered structure. The structure was then relaxed using various strategies. We applied Procrustes shape analysis for disorder quantification and identifying different loca
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.04108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aller, Henry T., Yu, Xiaoxiao, Wise, Adam, Howell, Robert S., Gellman, Andrew J., McGaughey, Alan J. H., Malen, Jonathan A.
Publikováno v:
Nano Letters; December 2019, Vol. 19 Issue: 12 p8533-8538, 6p
