Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Aliev, V. Sh."'
Origin of defects responsible for charge transport in resistive random access memory based on hafnia
Autor:
Islamov, Damir R., Perevalov, T. V., Gritsenkov, V. A., Aliev, V. Sh., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V., Cheng, C. H., Chin, Albert
A promising candidate for universal memory, which would involve combining the most favourable properties of both high-speed dynamic random access memory (DRAM) and non-volatile flash memory, is resistive random access memory (ReRAM). ReRAM is based o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.0071
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
JETP Letters; Apr2023, Vol. 117 Issue 7, p546-550, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Iskhakzay, R. M. Kh., Kruchinin, V. N., Aliev, V. Sh., Gritsenko, V. A., Dementieva, E. V., Zamoryanskaya, M. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2022, Vol. 51 Issue 1, p24-35, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.