Zobrazeno 1 - 10 of 22 pro vyhledávání: '"Alieu, J."'
1
Conference
Ultra-Shallow extensions for industrial 0.15 um CMOS technology fabricated using Plasma Doping.
Autor: Lenoble, D., Alieu, J., Grouillet, A., Haond, M., Felch, S.B., Goeckner, M.J., Fang, Z.
Publikováno v: 29th European Solid-State Device Research Conference; 1999, Issue 1, p392-395, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Multiple SiGe Quantum Wells - Novel Channel Architecture for 0.12 um CMOS.
Autor: Alieu, J., Skotnicki, T., Regolini, J.-L., Bremond, G.
Publikováno v: 29th European Solid-State Device Research Conference; 1999, Issue 1, p292-295, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Investigations of Dual Ge Gate Integration in Advanced CMOS Process.
Autor: Alieu, J., Jurczak, M., Skotnicki, T., Bremond, G., Souifi, K., Paoli, M., Bensahel, D., Galvier, J., Haond, M.
Publikováno v: 29th European Solid-State Device Research Conference; 1999, Issue 1, p152-155, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Experiments with gate oxide scaling from 4.5nm down to 2.5nm for boosting CMOS performances.
Autor: Josse, E., Gowziecki, R., Alieu, J., Mourrain, C., Havond, D., Halimaoui, A., Martin, F., Skotnicki, T.
Publikováno v: 28th European Solid-State Device Research Conference; 1998, p364-367, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Optimisation of Si.
Autor: Alieu, J., Bouillon, P., Gwoziecki, R., Moi, D., Bremond, G., Skotnicki, T.
Publikováno v: 28th European Solid-State Device Research Conference; 1998, p144-147, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Enhanced hot-carrier induced degradation in STI isolated NMOS transistors.
Autor: Sallagoity, P., Labiadh, A., Alieu, J., Haond, M.
Publikováno v: 27th European Solid-State Device Research Conference; 1997, p576-579, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Electrical characterization of Si1-xGex p-metal-oxide-semiconductor channel by admittance spectroscopy.
Autor: Alieu, J., Souifi, A., Bremond, G., Bouillon, P., Skotnicki, T.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 3, p1675-1678, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Multiple SiGe well: a new channel architecture for improving both NMOS and PMOS performances.
Autor: Alieu, J., Skotnicki, T., Josse, E., Regolini, J.-L., Bremond, G.
Publikováno v: 2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104); 2000, p130-131, 2p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje