Zobrazeno 1 - 10
of 666
pro vyhledávání: '"Algan, N."'
Autor:
Piotrowicz, C., Mohamad, B., Malbert, N., Jaud, M.-A., Vandendaele, W., Charles, M., Gwoziecki, R.
Publikováno v:
In Solid State Electronics March 2023 201
Autor:
Piotrowicz, C., Mohamad, B., Rrustemi, B., Malbert, N., Jaud, M.A., Vandendaele, W., Charles, M., Gwoziecki, R.
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 201:108594
Autor:
Ryu, H. Y.1, Ha, K. H.2, Son, J. K.3, Paek, H. S.3, Sung, Y. J.3, Kim, K. S.3, Kim, H. K.3, Park, Y.3, Lee, S. N.4, Nam, O. H.5
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. May2009, Vol. 105 Issue 10, p103102-103106. 4p. 2 Diagrams, 3 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (b). 252:1038-1042
Contactless electroreflectance spectroscopy has been applied to study the surface potential barrier in AlxGa1−xN/n-AlxGa1−xN structures with 0 ≤ x ≤ 0.25 grown by metaloorganic vapor phase epitaxy. A strong band-to-band transition followed by
Publikováno v:
physica status solidi c. 7:1919-1921
We observed intense photoluminescence from the GaN well layers of the multi-quantum well consisting of GaN and Al0.24Ga0.76N with various thicknesses (about 0.8, 1.6, 2.4 nm) of the GaN well layers. The peak position of the photoluminescence largely
Publikováno v:
Optics Express. 22:A1853
We demonstrated photoelectrochemical cells (PECs) with dodecagon faceted AlGaN/n-GaN heterostructure electrode for H(2) generation, where the AlGaN/n-GaN heterostructure has a linear gradient Al composition (LGAC). The separation efficiency of the ph
Publikováno v:
Technical Digest CLEO/Pacific Rim '97 Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics.