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pro vyhledávání: '"Alexandre Rousset"'
Autor:
L.N. Kessarinskiy, Alexander I. Chumakov, D. V. Bobrovsky, A.S. Tararaksin, Andrey G. Petrov, Dmitry V. Boychenko, Christian Chatry, Alexandre Rousset, A. O. Akhmetov
Publikováno v:
2016 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW).
The paper presents new experimental results for single event effects (SEL, SEU, SET) in modern ICs obtained at "U-400M" heavy ion accelerator (JINR, Dubna, Russia) and UCL heavy ion accelerator (UCL university, Louvain-la-Neuve, Belgium). Five digita
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30c78c790dffc91a9b481fade62c6c2d
https://doi.org/10.1109/nsrec.2016.7891720
https://doi.org/10.1109/nsrec.2016.7891720
Autor:
Fabien Widmeer, L. Gouyet, Ali Zadeh, Lionel Salvy, Veronique Ferlet-Cavrois, Thomas Caunes, Maxime Vaille, A. Samaras, Benjamin Renaud, Pierre Garcia, Christian Poivey, B. Vandevelde, Maryse Sauvagnac, Alexandre Rousset, Enoal Le Goulven, Marc Poizat, Christian Chatry, Ludovic Puybusque, Christian Erd, Yannick Padie, Jean Paul Abadi, Gael Vignon, Cesar Boatella-Polo
Publikováno v:
2013 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW).
We present radiation test data on optocouplers from three different vendors including results on neutron (1MeV) and proton (30, 60, 190MeV) induced displacement damage, total ionizing dose (Co60) and proton induced Single Event Transients.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::210bc37444662225e10153f6f531388d
https://doi.org/10.1109/redw.2013.6658192
https://doi.org/10.1109/redw.2013.6658192
Autor:
Alexandre Rousset, Patrick Girard, Christian Landrault, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel
Publikováno v:
MAJECSTIC'06: Manifestation des Jeunes Chercheurs STIC
MAJECSTIC'06: Manifestation des Jeunes Chercheurs STIC, Nov 2006, Lorient, France
HAL
MAJECSTIC'06: Manifestation des Jeunes Chercheurs STIC, Nov 2006, Lorient, France
HAL
National audience; Ce papier présente une méthode de diagnostic unifiée ciblant l'ensemble des modèles de fautes utilisés pour représenter les divers comportements de défaillances pouvant affecter les circuits nanométriques. Cette méthode ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0a6145bfe8335db6d1161930883802a3
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136876
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136876
Autor:
Alexandre Rousset, Patrick Girard, Christian Landrault, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel
Publikováno v:
9ièmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique
JNRDM: Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique
JNRDM: Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2006, Rennes, France
HAL
JNRDM: Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique
JNRDM: Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2006, Rennes, France
HAL
National audience; Ce papier présente une méthode de diagnostic unifiée ciblant l'ensemble des modèles de fautes utilisés pour représenter les divers comportements de défaillances pouvant affecter les circuits nanométriques. Cette méthode ba
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c3563b275a217c58f6f0cbed0dc94953
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136841/document
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136841/document