Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Alevli, Mustafa"'
Autor:
Alevli, Mustafa
Publikováno v:
Physics and Astronomy Dissertations.
In this research the growth of InN epilayers by high-pressure chemical vapor deposition (HPCVD) and structural, optical properties of HPCVD grown InN layers has been studied. We demonstrated that the HPCVD approach suppresses the thermal decompositio
Autor:
Alevli, Mustafa.
Publikováno v:
unrestricted.
Thesis (Ph. D.)--Georgia State University, 2008.
Title from file title page. Nikolaus Dietz, committee chair, Brian Thoms, A. G. Unil Perera, Xiaochun He, committee members. Electronic text (215 p. : col. ill.) : digital, PDF file. Description b
Title from file title page. Nikolaus Dietz, committee chair, Brian Thoms, A. G. Unil Perera, Xiaochun He, committee members. Electronic text (215 p. : col. ill.) : digital, PDF file. Description b
Externí odkaz:
http://etd.gsu.edu/theses/available/etd-04212008-154425/
Autor:
Acharya, Ananta R., Gamage, Sampath, Senevirathna, M.K. Indika, Alevli, Mustafa, Bahadir, Kucukgok, Melton, Andrew G., Ferguson, Ian, Dietz, Nikolaus, Thoms, Brian D.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 March 2013 268:1-5
Publikováno v:
In Thin Solid Films 31 January 2012 520(7):2750-2755
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 335(1):51-57
Autor:
Alevli, Mustafa, Gungor, Nese
In this work, we have studied the influence of N-2/H-2 plasma gas flow rates on the hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition (HCPA-ALD) growth of indium nitride (InN) films. The influence of N-2/H-2 plasma gas flow rates on crystallinit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r39c86a4b39b::0e9abfc484f2263336d22ef528b76b77
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/11019
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/11019
Autor:
Alevli, Mustafa, Gungor, Nese
The authors reported the hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition of AlN, GaN, and InN films using N-2-only and N-2/H-2 plasma. In this study, the authors analyzed the effect of plasma gas composition on the properties of deposited bina
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r39c86a4b39b::c6347d523c9577c87860e046c702cfa8
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/30199
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/30199
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alevli, Mustafa, Gungor, Nese
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Nov2020, Vol. 38 Issue 6, p1-7, 7p