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pro vyhledávání: '"Alejandro Avellán"'
Autor:
Matthias Meyer, Christoph Szigalla, Bastian Troger, Jochen Schmidt, Thorsten Gräfen, Alejandro Avellán, Eric Jung
Publikováno v:
Optik & Photonik. 12:36-37
Publikováno v:
Optik & Photonik. Oct2017, Vol. 12 Issue 4, p2-3. 2p.
Autor:
Avellán, Alejandro1, Gräfen, Thorsten, Jung, Eric, Meyer, Matthias, Schmidt, Jochen, Szigalla, Christoph, Tröger, Bastian
Publikováno v:
Optik & Photonik. Oct2017, Vol. 12 Issue 4, p36-37. 2p.
Publikováno v:
32nd European Solid-State Device Research Conference; 2002, p463-466, 4p
Autor:
Avellán Hampe, Alejandro
Publikováno v:
Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch / Alejandro Avellán Hampe. Düsseldorf : VDI-Verl., 2004. (Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro-und Nanotechnik ; 371)
Die fortschreitende Skalierung und zunehmende Packungsdichte integrierter Schaltkreise führt zu immer höheren Belastungen der elektronischen Bauelemente. Bei MOS-Transistoren erhöht sich dadurch die Wahrscheinlichkeit eines Gateoxiddurchbruchs. In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::220f96e058616002dc8af320c633c49d
Autor:
Gijs Bosman
The International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations brings together physicists and engineers interested in all aspects of noise and fluctuations in materials, devices, circuits, and physical and biological systems. The expe