Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Aldao Celso Manuel"'
Autor:
Ponce Miguel Adolfo, Castro Miriam Susana, Moncada Osvaldo Julio, Echeverría Maria Dolores, Aldao Celso Manuel
Publikováno v:
Materials Research, Vol 6, Iss 4, Pp 515-518 (2003)
Gas sensors based in semiconductor oxides show a change in the resistance when they are exposed to certain gaseous atmospheres. In this paper, the influence on the sensor electrical resistance with the film thickness in vacuum and air are studied. Th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/00e7fcef69dd4cb49e9809de75e1c0b4
Autor:
Desimone, Paula Mariela, Zonta, Giulia, Giulietti, Giuliana, Ortega, Pedro Paulo, Aldao, Celso Manuel, Simões, Alexandre Zirpoli, Moura, Francisco, Ponce, Miguel Adolfo, Foschini, Cesar Renato
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B January 2024 299
Autor:
Ciola Amoresi, Rafael Aparecido, Cristina de Oliveira, Regiane, Cichetto, Leonélio, Jr., Desimone, Paula Mariela, Aldao, Celso Manuel, Ponce, Miguel Adolfo, Gracia, Lourdes, Sambrano, Julio R., Longo, Elson, Andres, Juan, Simões, Alexandre Zirpoli
Publikováno v:
In Ceramics International 15 May 2022 48(10):14014-14025
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Macchi, Carlos, Petinardi, Guilherme Magalhaes, Freire, Leonardo Almeida, Castro, Miriam Susana, Aldao, Celso Manuel, Luiz, Thaís Marcial, Moura, Francisco, Simões, Alexandre Zirpoli, Moreno, Henrique, Longo, Elson, Somoza, Alberto, Assis, Marcelo, Ponce, Miguel Adolfo
Publikováno v:
Dalton Transactions: An International Journal of Inorganic Chemistry; 1/14/2024, Vol. 53 Issue 2, p525-534, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
El silicio es el semiconductor más ampliamente difundido y utilizado industrialmente. Constituye el material sobre el que se basa la industria electrónica. Especialmente, la superficie (100), la utilizada en los circuitos integrados, ha sido la má
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3498::a259d35a0fbdd13ee0ae43529ae04ff2
http://www.materiales-sam.org.ar/sitio/revista/1_2013/contenido.htm
http://www.materiales-sam.org.ar/sitio/revista/1_2013/contenido.htm
Autor:
Malagú, C., Carotta, M. Cristina, Martinelli, Giuliano, Ponce, Miguel Adolfo, Castro, Miriam Susana, Aldao, Celso Manuel
Publikováno v:
CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
A deep analysis of conductance in nanostructured SnO2 thick films has been performed. A model for field-assisted thermionic barrier crossing is being proposed to explain the film conductivity. Themodel has been applied to explain the behavior of resi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bc2f6986b14fae3e0ce5ca7866a64715
https://www.hindawi.com/journals/js/2009/402527/
https://www.hindawi.com/journals/js/2009/402527/