Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Alcántara Iniesta, Salvador"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ramos-Aguilar, Rogelio, Máximo-Romero, Patricia, Soto-Cruz, Blanca Susana, Alcántara-Iniesta, Salvador, Pérez-Luna, José Guillermo, Saldaña-Pacheco, María Ángela
Publikováno v:
Revista Geográfica, 2012 Jul 01(152), 133-148.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/43558259
Autor:
Ramírez Amador, Raquel, Alcántara Iniesta, Salvador, Jiménez Pavón, Ricardo David, Teniza García, Ogilver, García Miranda, Maribel, Turijan Altamirano, Salomón Noé, Balcón Camacho, Juan, Martínez Hernández, H. Patricia, Téllez González, Carmen, Acosta-Osorno, M.
Publikováno v:
Congreso Internacional de Investigacion Academia Journals; 2020, Vol. 12 Issue 7, p1672-1676, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Flores-Carrasco, Gregorio, Alcántara-Iniesta, Salvador, Sierra-Fernández, Aránzazu, Gómez-Villalba, Luz Stella, Rabanal, Maria Eugenia, Milošević, Olivera
Publikováno v:
Superficies y Vacio
In this research, we report the preparation and characterization of SnO2thin films preparation by the Ultrasonic Spray Pyrolysis technique using different fluorine content dissolved in ethanol as precursor solution, for its possible application as TC
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=daisdigitala::28df50398b033bf30e004ab9d2775cb7
https://dais.sanu.ac.rs/bitstream/id/21622/649.pdf
https://dais.sanu.ac.rs/bitstream/id/21622/649.pdf
Autor:
Flores-Carrasco, Gregorio, Mora, J.R., Ramírez, R., Bueno, Carlos, Alcántara-Iniesta, Salvador, Soto, B.S., Rabanal, M.E.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; January 2019, Vol. 286 Issue: 1 p15-22, 8p
Autor:
Ramírez-Amador, Raquel, Flores-Carrasco, Gregorio, Alcántara-Iniesta, Salvador, Rodríguez González, Julio, García-Teniza, Ogilver, Mercado-Agular, Eduardo, Vásquez-Ortiz, Arturo Benito
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; January 2019, Vol. 286 Issue: 1 p64-71, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Acosta Osorno, Mario Alberto
Publikováno v:
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
BUAP
Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
BUAP
Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
“El óxido de zinc (ZnO) es un material semiconductor que, a pesar de que ha sido estudiado desde hace varios años, recientemente ha llamado la atención de los investigadores por sus propiedades ópticas, eléctricas, mecánicas, estabilidad quí
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::f08da4a9981c084acee71fb052dad6be