Zobrazeno 1 - 10 of 65 pro vyhledávání: '"Alan Doolittle, W."'
1
Akademický článek
Beryllium doped semi-insulating GaN without surface accumulation for homoepitaxial high power devices.
Autor: Ahmad, Habib, Anderson, Travis J., Gallagher, James C., Clinton, Evan A., Engel, Zachary, Matthews, Christopher M., Alan Doolittle, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/7/2020, Vol. 127 Issue 21, p1-8, 8p, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Comprehensive study of the electronic and optical behavior of highly degenerate p-type Mg-doped GaN and AlGaN.
Autor: Gunning, Brendan P., Fabien, Chloe A. M., Merola, Joseph J., Clinton, Evan A., Alan Doolittle, W., Shuo Wang, Fischer, Alec M., Ponce, Fernando A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 4, p045710-1-045710-11, 11p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Evidence of ion intercalation mediated band structure modification and opto-ionic coupling in lithium niobite.
Autor: Shank, Joshua C., Brooks Tellekamp, M., Alan Doolittle, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/21/2015, Vol. 117 Issue 3, p035704-1-035704-6, 6p, 1 Diagram, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Passivation and activation of Mg acceptors in heavily doped GaN.
Autor: Zvanut, M. E., Uprety, Y., Dashdorj, J., Moseley, M., Alan Doolittle, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug2011, Vol. 110 Issue 4, p044508, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje