Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Alam, Md Tahmidul"'
Autor:
Alam, Md Tahmidul, Mukhopadhyay, Swarnav, Haque, Md Mobinul, Pasayat, Shubhra S., Gupta, Chirag
More than 3 kV breakdown voltage was demonstrated in monolithic bidirectional GaN HEMTs for the first time having potential applications in 1200V or 1700V-class novel power converters. The on resistance of the fabricated transistors was ~20 ohm.mm or
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.16218
Autor:
Alam, Md Tahmidul, Chen, Jiahao, Stephenson, Kenneth, Mamun, Md Abdullah-Al, Mazumder, Abdullah Al Mamun, Pasayat, Shubhra S., Khan, Asif, Gupta, Chirag
High voltage (~2 kV) AlGaN-channel HEMTs were fabricated with 64% Aluminum composition in the channel. The average on-resistance was ~75 ohm. mm (~21 miliohm. cm^2) for LGD = 20 microns. Breakdown voltage reached >3 kV (tool limit) before passivation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.10354
Autor:
Alam, Md Tahmidul, Gupta, Chirag
A broad TCAD simulation analysis of a monolithic common drain bidirectional GaN HEMT was performed. We used gate-to-gate distances of 4 microns and 6 microns for the devices optimized with two field plates. The breakdown voltages were 675V and 915V r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.04648
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xie, Shuwen, Sheikhi, Moheb, Xu, Shining, Alam, Md Tahmidul, Zhou, Jie, Mawst, Luke, Ma, Zhenqiang, Gupta, Chirag
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 2/12/2024, Vol. 124 Issue 7, p1-6, 6p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p733-738, 6p