Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Alaan Urusa"'
Autor:
Emori, Satoru, Alaan, Urusa S., Gray, Matthew T., Sluka, Volker, Chen, Yizhang, Kent, Andrew D., Suzuki, Yuri
Publikováno v:
Phys. Rev. B. 94, 224423 (2016)
Thin films of perovskite oxides offer the possibility of combining emerging concepts of strongly correlated electron phenomena and spin current in magnetic devices. However, spin transport and magnetization dynamics in these complex oxide materials a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.06661
We report on the observation of metallic behavior in thin films of oxygen-deficient SrTiO$_3$ - down to 9 unit cells - when coherently strained on (001) SrTiO$_3$ or DyScO$_3$-buffered (001) SrTiO$_3$ substrates. These films have carrier concentratio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1606.01211
Autor:
Carl H. Naylor, Chelsey Dorow, O'brien Kevin P, Kirby Maxey, Arnab Sen Gupta, Andy Hsiao, Tronic Tristan A, Penumatcha Ashish Verma, Scott B. Clendenning, Gosavi Tanay, Matthew V. Metz, Michael Christenson, Sudarat Lee, Robert L. Bristol, Uygar E. Avci, Alaan Urusa, A. A. Oni, Hui Zhu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:6592-6598
2-D-material channels enable ultimate scaling of MOSFET transistors and will help Moore's Law scaling for years. We demonstrate the state of both n- and p-MOSFETs using monolayer transition metal dichalcogenide (TMD) channels of sub-1 nm thickness an
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. Rachmady, Phan Anh, G. Dewey, P. Nguyen, Matthew V. Metz, Tung I-Cheng, Patrick Morrow, Rajat Kanti Paul, Scott B. Clendenning, Nicole K. Thomas, A. A. Oni, Ryan Keech, Marko Radosavljevic, Huang Cheng-Ying, Alaan Urusa, Manan Mehta, Kang Jun Sung, A. Lilak, Mannebach Ehren, Hui Jae Yoo, Bob Turkot, Kabir Nafees, S. Vishwanath, K. L. Cheong, Richard E. Schenker, B. Krist, Michael K. Harper, Jack Portland Kavalieros
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrate 3-D self-aligned stacked NMOS-on-PMOS multiple Si nanoribbon transistors with successful integration of vertically stacked dual source/drain EPI process and vertically stacked dual metal gate process. Both top NMOS and bottom PMOS show
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters, vol 108, iss 4
We have synthesized transparent, conducting, paramagnetic stannate thin films via rare-earth doping of BaSnO3. Gd3+ (4f7) substitution on the Ba2+ site results in optical transparency in the visible regime, low resistivities, and high electron mobili
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c054c60377b4c482f56fcf6ff7f4e5f5
https://escholarship.org/uc/item/95895066
https://escholarship.org/uc/item/95895066
Publikováno v:
APL Materials; Jan2019, Vol. 7 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 7p