Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"AlN/GaN DHFET"'
Autor:
Malek Zegaoui, Farid Medjdoub, Astrid Linge, Riccardo Silvestri, Gaudenzio Meneghesso, B. Grimbert, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2015, 113, pp.49-53. ⟨10.1016/j.sse.2015.05.009⟩
Solid-State Electronics, Elsevier, 2015, 113, pp.49-53. ⟨10.1016/j.sse.2015.05.009⟩
Solid-State Electronics, 2015, 113, pp.49-53. ⟨10.1016/j.sse.2015.05.009⟩
Solid-State Electronics, Elsevier, 2015, 113, pp.49-53. ⟨10.1016/j.sse.2015.05.009⟩
International audience; We report on AlN/GaN double heterostructures for high frequency applications. 600 h preliminary reliability assessment has been performed on these emerging RF devices, showing promising millimeter-wave 100 nm gate length GaN-o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::01a017cf6192b66dfa70c609cf9c2775
http://hdl.handle.net/11577/3183756
http://hdl.handle.net/11577/3183756
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.