Zobrazeno 1 - 10
of 379
pro vyhledávání: '"AlInGaN"'
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4 (2023)
This paper presents a comprehensive investigation into the DC analog and AC microwave performance of a state-of-the-art T-gate double barrier AlGaN/AlInGaN/GaN MOSHEMT (Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor) implemented on a 4H-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47e320f505104c7f93810fc76e78b4e4
Autor:
Hongchang Tao, Shengrui Xu, Yanrong Cao, Huake Su, Yuan Gao, Yachao Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 15, Iss 3, Pp 1-5 (2023)
AlGaN-based ultraviolet-A light-emitting diodes (UVA LEDs) inevitably suffer from current crowding effects at high injection levels due to their lateral device structure, resulting in non-uniform light emission and device overheating. In N-polar UV L
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d4a1befada04cdb8dd2bd72cf665c7d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lingrong Jiang, Jianping Liu, Aiqin Tian, Masao Ikeda, Liqun Zhang, Peng Wu, Wei Zhou, Hui Yang
Publikováno v:
Fundamental Research, Vol 1, Iss 6, Pp 672-676 (2021)
The ridge morphology, which is related to random atomic step meandering, appears in thick AlInGaN films grown by metal organic chemical vapor deposition on both GaN templates and free-standing GaN substrates; this can be primarily attributed to the i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f9bd2f17b6484f0f818f7cd497b01ba5
Autor:
Indraneel Sanyal, En-Shuo Lin, Yu-Chen Wan, Kun-Ming Chen, Po-Tsung Tu, Po-Chun Yeh, Jen-Inn Chyi
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 130-136 (2021)
This work demonstrates high-performance AlInGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors grown on 150 mm p-type low resistivity (resistivity~ 20–100 $\Omega $ -cm) silicon substrate with state-of-the-art Johnson’s figure-of-merit (JFOM). Curren
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7a90ca0f4994778948b8f1e48b92adf
Autor:
Niraj Man Shrestha, Yiming Li, Chao-Hsuan Chen, Indraneel Sanyal, Jenn-Hawn Tarng, Jen-Inn Chyi, Seiji Samukawa
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 873-878 (2020)
A novel lattice matched double barrier Al0.72In0.16Ga0.12N/Al0.18In0.04Ga0.78N/GaN normally-off high electron mobility transistor (HEMT) is designed and simulated by solving a set of thermodynamic transport equations. Using the experimentally calibra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/69335b4a197e43bb8ff456f049acdc4d
Autor:
Kiran Saba, Anna Kafar, Jacek Kacperski, Krzysztof Gibasiewicz, Dario Schiavon, Takao Oto, Szymon Grzanka, Piotr Perlin
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 2, p 352 (2023)
In this study, we propose a solution for realization of surface emitting, 2D array of visible light laser diodes based on AlInGaN semiconductors. The presented system consists of a horizontal cavity lasing section adjoined with beam deflecting sectio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4a47c518521041bfb3cda099de0dc1b2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.