Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"AlGaN buffers"'
Autor:
Zhenghao Chen, Xuelin Yang, Xuan Liu, Jianfei Shen, Zidong Cai, Hongcai Yang, Xingyu Fu, Maojun Wang, Ning Tang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bo Shen
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 7, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Vertical GaN‐on‐Si devices are promising for the next‐generation high‐voltage power electronics with low cost and high efficiency. However, their applications are impeded by the limited thickness of crack‐free GaN layers and high t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f422679bba0846d58ff2b102144fc395
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.