Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"AlGaN back barrier"'
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 9, Iss 2, Pp 100692- (2024)
A novel AlGaN/GaN HEMT is proposed to improve its single event transient (SET) effect and breakdown characteristics. The device features an AlGaN back barrier layer and a buried P-GaN island in the back barrier layer (BP-HEMT). First, the P-GaN islan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0919fb2b6cc443e898c47ea37a59cfda
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 36, Iss , Pp 105450- (2022)
In this work, the high temperature and trap sates characteristics have been investigated for Al0.35Ga0.65N/GaN/Al0.25Ga0.75N double heterojunction. By using high-Al AlGaN barrier and back barrier layers, the maximum current at 200 ℃ is reduced by 3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/24f42feb1cf341479a539c62a6e47473
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kathia Harrouche, Srisaran Venkatachalam, Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Etienne Okada, Farid Medjdoub
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 2, p 291 (2023)
In this paper, we report on an enhancement of mm-wave power performances with a vertically scaled AlN/GaN heterostructure. An AlGaN back barrier is introduced underneath a non-intentionally doped GaN channel layer, enabling the prevention of punch-th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a4a7fe78fe7748e080c7db3cc4a85856
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.