Zobrazeno 1 - 10
of 633
pro vyhledávání: '"AlGaN/GaN heterostructures"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 536 (2024)
The high transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures are critical components for high-performance electronic and radio-frequency (RF) devices. We report the transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures grown on a high-resistivi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e87fb15cda174603839159cbfcb62adf
Autor:
S. Vitusevich, I.M. Nasieka, A. V. Naumov, V. V. Kalyuzhnyi, O. I. Liubchenko, I. O. Antypov, M. I. Boyko, A. E. Belyaev
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 6, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The active channels in AlGaN/GaN‐based heterostructures are studied under different applied electrical fields to identify the Joule heating factors affecting the temperature values in the channels. The temperature in active channels of two
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8624d2b47a44cd9b68bb6e867d4f0b5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roman B. Adamov, Daniil Pashnev, Vadim A. Shalygin, Maria D. Moldavskaya, Maxim Ya. Vinnichenko, Vytautas Janonis, Justinas Jorudas, Saulius Tumėnas, Paweł Prystawko, Marcin Krysko, Maciej Sakowicz, Irmantas Kašalynas
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 13, p 6053 (2021)
Terahertz time-domain spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy were developed as the method for the investigation of high-frequency characteristics of two-dimensional electron gas and GaN:C buffer layers in AlGaN/AlN/GaN heterostructu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/64ac112ad0bd49d2b0e4940c6e17e821
Autor:
Stempitsky V. R., Dao Dinh Ha
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-2, Pp 28-32 (2017)
The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from -25 to 400ºC. The research was performed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/316dc817ec92495bbd2bd1bb703bb73a
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 2, Iss 4, Pp 131-137 (2016)
MOCVD grown AlGaN/GaN heterostructures on sapphire and silicon substrates have been studied. The capacity–voltage characteristic have been measured in the 200 Hz–1 MHz frequency range with a planar position of mercury and second probe on the spec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3506fef9bf724bfa98f214b73f14ab3c
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 4, p 407 (2021)
Sapphire and silicon carbide substrates are used for growth of the III-N group heterostructures to obtain the electronic devices for high power and high frequency applications. Laser micromachining of deep channels in the frontside of the transparent
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e52d971ab5574c47a744f617f33e7374
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.