Zobrazeno 1 - 10
of 7 838
pro vyhledávání: '"AlGaN/GaN heterostructures"'
We report on the realization of extremely high-density ($>10^{14}$cm$^{-2}$) 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates. By introduction the GaN/AlN superlattice (SL) back barrier between GaN buffer layer and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.12570
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 536 (2024)
The high transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures are critical components for high-performance electronic and radio-frequency (RF) devices. We report the transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures grown on a high-resistivi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e87fb15cda174603839159cbfcb62adf
Autor:
Jorudas, J.1, Seliuta, D.1, Minkevičius, L.1, Janonis, V.1, Subačius, L.1, Pashnev, D.1, Pralgauskaitė, S.1, Matukas, J.1, Ikamas, K.2, Lisauskas, A.2, Šermukšnis, E.3, Šimukovič, A.3, Liberis, J.3, Kovalevskij, V.4, Kašalynas, I.1,2 irmantas.kasalynas@ftmc.lt
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 2023, Vol. 63 Issue 4, p191-201. 11p.
Autor:
Mansurov, Vladimir, Malin, Timur, Golyashov, Vladimir, Milakhin, Denis, Zhuravlev, Konstantin
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 December 2023 640