Zobrazeno 1 - 10
of 183
pro vyhledávání: '"AlGaAsSb"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 19, p 3486 (2022)
Thermophotovoltaic conversion using heat to generate electricity in photovoltaic cells based on the detraction of thermal radiation suffers from many engineering challenges. The focus of this paper is to study the nanostructure of AlGaAsSb for thermo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8e2fabd1177c453eb731a8761b28584c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Antimony semiconductors are materials of future for short and mid infrared emitters and detectors. This work shares information about growth of GaSb, lattice matched InGaAsSb and AlGaAsSb on (100) GaSb substrates in Aixtron Aix-200 MOCVD reactor, ass
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5637f32901b72773b61cd836b845e9a1
Publikováno v:
Materials, Vol 12, Iss 2, p 317 (2019)
This paper discusses the issue of controlling the epitaxial growth of mixed group V alloys to form a type-I InGaAsSb/AlGaAsSb double quantum wells (QWs) structure. We also discuss the run-to-run reproducibility of lattice-matched AlGaAsSb alloys and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9d815188f070452b83d6e870a4711d78
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jean C Harmand, Edson Laureto, José Leonil Duarte, Ivan Frederico Lupiano Dias, Dari de Oliveira Toginho Filho
Publikováno v:
Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas, Vol 29, Iss 1, Pp 39-44 (2008)
The electrical and optical properties of non-doped and Te doped 6.5 periods AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors on InP grown by MBE with different types of interfaces between ternary and quaternary layers are reported. The techniques employed were photolum
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/77634d5f7c9f4987840bece6c8a0f5f5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.