Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Al khalfioui, Mohamed"'
Autor:
Ünal, Derya, Varol, Songül Fiat, Brault, Julien, Chenot, Sébastien, Al Khalfioui, Mohamed, Merdan, Ziya
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 June 2022 262
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dau, Minh Tuan1 (AUTHOR) mtd@crhea.cnrs.fr, Al Khalfioui, Mohamed1 (AUTHOR), Michon, Adrien1 (AUTHOR), Reserbat-Plantey, Antoine1 (AUTHOR), Vézian, Stéphane1 (AUTHOR), Boucaud, Philippe1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 4/3/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-10. 10p.
Autor:
Llopez, Alexandre, Leroy, Frédéric, Tagne-Kaegom, Calvin, Croes, Boris, Michon, Adrien, Mastropasqua, Chiara, Al Khalfioui, Mohamed, Curiotto, Stefano, Müller, Pierre, Saùl, Andrés, Kierren, Bertrand, Kremer, Geoffroy, Fèvre, Patrick Le, Bertran, François, Fagot-Revurat, Yannick, Cheynis, Fabien
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 4/24/2024, Vol. 16 Issue 16, p20878-20885, 8p
Autor:
Matta, Samuel, Brault, Julien, Korytov, Maxim, Phuong Vuong, Thi Quynh, Chaix, Catherine, Al Khalfioui, Mohamed, Vennéguès, Philippe, Massies, Jean, Gil, Bernard
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 October 2018 499:40-46
Autor:
Contreras, Sylvie, Konczewicz, Leszek, Ben Messaoud, Jaweb, Peyre, Hervé, Al Khalfioui, Mohamed, Matta, Samuel, Leroux, Mathieu, Damilano, Benjamin, Brault, Julien
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures October 2016 98:253-258
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
MERDAN, ZİYA, Unal, Derya, Al Khalfioui, Mohamed, Brault, Julien, Varol, Songul Fiat, Chenot, Sebastien
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 262:111830
High quality single crystalline n-type ZnO films, with a thickness of 200 nm, were grown on top of AlN/GaN layers under 25 W, 50 W and 100 W sputtering powers. The AlN and p-type GaN layers were deposited by metalorganic chemical vapor deposition (MO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::68f3e1c0235071ab3c544f4465856c8c
https://doi.org/10.1016/j.mee.2022.111830
https://doi.org/10.1016/j.mee.2022.111830