Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Autor: Zaidan, Zahraa, Al Taradeh, Nedal, Rodriguez, Christophe, Jaouad, Abdelatif, Soltani, Ali, Tasselli, Josiane, Planson, Dominique, Maher, Hassan, Isoird, Karine, Luong, Viet, Sonneville, Camille, Cordier, Yvon, Morancho, Frederic

Publikováno v: Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco

International audience; This work presents an innovative technology where GaN-based vertical and lateral devices are monolithically integrated. Indeed, this technology will enable to drive high-power switching devices (vertical GaN power FinFETs) usi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::df70c651d0451c55e293690a7228f040
https://hal.science/hal-03946187/document

Transport Mobility and Injection Velocity Model for Nanoscale MOSFET Transistor

Autor: Al-Mistarihi, Mamoun F, Rjoub, Abdoul, Al-Taradeh, Nedal R

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e9c0e5eb74bd8e0b21398e3c81c6135

Nanowires piezoelectric constants determination using current-voltage measurements.

Autor: Al Ahmad, Mahmoud, Al Taradeh, Nedal, Saadat, Irfan

Publikováno v: 2015 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectric (ISAF), International Symposium on Integrated Functionalities (ISIF) & Piezoelectric Force Microscopy Workshop (PFM); 2015, p257-260, 4p