Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"Al₂O₃/TiO₂"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1142-1146 (2018)
Novel Al2O3-dielectric InAlN/AlN/GaN Γ-Gate metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with composite Al2O3/TiO2 passivation oxides formed by using ultrasonic spray pyrolysis deposition/RF sputtering, respectively
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ab9b3f25e0a471b8da70b7aef89ff5c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gerd Gantenbein, Stefan Illy, Tobias Ruess, Andreas Killinger, Jörg Weggen, V. Martínez-García
Publikováno v:
Coatings, 11 (7), Article no: 801
Coatings, Vol 11, Iss 801, p 801 (2021)
Coatings
Volume 11
Issue 7
Coatings, Vol 11, Iss 801, p 801 (2021)
Coatings
Volume 11
Issue 7
The European fusion reactor research facility, called International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER), is one of the most challenging projects that involves design and testing of hundreds of separately designed reactor elements and peripheric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::415a6e614186741e5779edc1d9d17380
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000135154
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000135154
Publikováno v:
Engineering, Technology & Applied Science Research, Vol 10, Iss 1 (2020)
Polyvinyl chloride (PVC) is usually used as insulation in electrical engineering, mainly as cable insulation sheaths. A method for improving PVC’s dielectric properties, reducing the effects of UV aging, is the use of PVC films doped in alumina and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8903b904e0b23cfc224b0bd5cd72a309
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1142-1146 (2018)
Novel Al2O3-dielectric InAlN/AlN/GaN Γ-Gate metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with composite Al2O3/TiO2 passivation oxides formed by using ultrasonic spray pyrolysis deposition/RF sputtering, respectively
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a86faf79e3389a87c27ad73595df5c3d
https://doi.org/10.1109/jeds.2018.2870844
https://doi.org/10.1109/jeds.2018.2870844
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Repositorio UdeA
Universidad de Antioquia
instacron:Universidad de Antioquia
Universidad de Antioquia
instacron:Universidad de Antioquia
RESUMEN : En los últimos veinte años, las nano-estructuras de TiO2 fabricadas por anodizado han llamado la atención debido a su fácil obtención y control de las características geométricas (diámetro, longitud y espesor). Actualmente el anodiz
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::7ca2729ebe7296368f94371e5a94a3db
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.