Zobrazeno 1 - 10
of 195
pro vyhledávání: '"Al:ZnO"'
Publikováno v:
Results in Optics, Vol 12, Iss , Pp 100485- (2023)
Aluminum doped zinc oxide thin films/ nanostructures have great importance in many technological applications such as transparent conducting oxides, photo-catalytic, electrochemical and opto-electronic devices. The pre-heating (drying) stage during s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e2e9e23aac394ec49444e7354defa90a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-13 (2020)
Highlights High performance Al nanostructures/ZnO quantum dots heterostructure photodetectors with a controllable geometry of the Al nanostructures are demonstrated. Light utilization of the photoactive layers is significantly boosted with the Al nan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2600e8c9ad0d4e90920fe6ad48d52dd1
Autor:
Yuan-Dong Xu, Yan-Ping Jiang, Xin-Gui Tang, Qiu-Xiang Liu, Zhenhua Tang, Wen-Hua Li, Xiao-Bin Guo, Yi-Chun Zhou
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 1, p 39 (2022)
Resistive random-access memory (RRAM) is a promising candidate for next-generation non-volatile memory. However, due to the random formation and rupture of conductive filaments, RRMS still has disadvantages, such as small storage windows and poor sta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e24039886bb1440d9f7b0ccbbf8448ff
Autor:
Dimitra N. Papadimitriou
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 11, p 1966 (2022)
Resistivity and transparency of zinc-oxide layers (ZnO) for chalcopyrite photovoltaic technology applications were engineered by activation of the Burstein–Moss (BM) effect at high concentrations of aluminium (Al) and indium (In) dopant. The Al:ZnO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/485ecd7d442d443aa17c608126a24d5a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this work, undoped and co-doped ZnO:Al:Mn semiconductor thin films and p-type Si diodes were produced via sol-gel technique method. The morphological and optical properties of the produced thin films were investigated using SEM, XRD and UV-Spectro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10334::ade52d565777aaa57482cedfa5d0bcaf
https://hdl.handle.net/20.500.11776/11106
https://hdl.handle.net/20.500.11776/11106
