Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Aizatsky, N.I."'
Autor:
Aizatsky, N.I., Dikiy, N.P., Dovbnya, A.N., Fedorets, I.D., Kushnir, V.A., Lyashko, Yu.V., Medvedev, D.V., Mytrochenko, V.V., Onishchenko, I.N., Perezhogin, S.A., Danilenko, I.A., Konstantinova, T.E.
Formation of radioactive isotopes is investigated under irradiation by relativistic electrons with energy up to 100 MeV. Radioactive isotopes 87,88Y, 88,89,95Zr, 95Nb, 175Hf are registered after irradiation by relativistic electrons with energy 47.2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::752ed17100726be2a49d92a9e5fa5235
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35622
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35622
Autor:
Aizatsky, N.I., Diky, N.P., Dovbnya, A.N., Ehst, D., Lyashko, Yu.V., Nikiforov, V.I., Tenishev, A.Eh., Torgovkin, A.V., Uvarov, V.L., Shevchenko, V.A., Shramenko, B.I.
Computer simulation has been used to determine the 99Mo and 67Cu isotope yields, as well as the radiation power absorbed in technological natural Mo- and Zn-based targets of different mass and geometry, and also, the power absorbed in a tantalum conv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::0195eadeaf5b95445f07490ca486c59d
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15707
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15707
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dovbnya, A.N., Aizatsky, N.I., Boriskin, V.N., Zakutin, V.V., Kushnir, V.A., Mitrochenko, V.A., Reshetnyak, N.G., Volkolupov, Yu.Ya., Krasnogolovets, M.A.
Publikováno v:
Proceedings of the 2003 Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (IEEE Cat. No.03CH37440); 2003, p3303-3305, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dovbnya, A.N., Aizatsky, N.I., Boriskin, V.N., Zakutin, V.V., Kushnir, V.A., Mitrochenko, V.A., Reshetnyak, N.G., Romas'ko, V.G., Volkolupov, Yu.Ya., Krasnogolovets, M.A.
Publikováno v:
Proceedings of the 2003 Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (IEEE Cat. No.03CH37440); 2003, p1107-1107, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.