Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"Aikawa, Shinya"'
Autor:
Nodera, Ayumu, Aikawa, Shinya ⁎
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B January 2024 299
Amorphous oxide semiconductors, especially indium oxide-based (InOx) thin-films, have been major candidates for high mobility with easy-to-use device processability. As one of the dopants in InOx semiconductors, we proposed Si to design a thin-film t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.09366
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 106, 192103 (2015)
We discuss the environmental instability of amorphous indium oxide (InOx)-based thin-film transistors (TFTs) in terms of the excess oxygen in the semiconductor films. A comparison between amorphous InOx doped with low and high concentrations of oxyge
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.01628
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 103, 172105 (2013)
Amorphous metal oxide thin-film transistors (TFT) are fabricated using InOx-based semiconductors doped with TiO2, WO3 or SiO2. Although density of dopant is low in the film, change in the electrical properties showed strong dependence on the dopant s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.5183
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); May2024, Vol. 13 Issue 10, p1947, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jun2023, Vol. 220 Issue 12, p1-5, 5p
Autor:
Harish, Sivasankaran a, Ishikawa, Kei a, Einarsson, Erik a, b, Aikawa, Shinya a, c, Chiashi, Shohei a, Shiomi, Junichiro a, Maruyama, Shigeo a, ⁎
Publikováno v:
In International Journal of Heat and Mass Transfer June 2012 55(13-14):3885-3890