Zobrazeno 1 - 10 of 98 pro vyhledávání: '"Ahoujja, M."'
2
Akademický článek
Multiple subband population in delta-doped AlAsSb/InGaAs heterostructures.
Autor: Ahoujja, M., Elhamri, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1997, Vol. 81 Issue 3, p1609, 3p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Conference
Donor-like Deep Level Defects in GaN Characterized by Double-correlation Deep Level Transient Spectroscopy.
Autor: Ahoujja, M., Hogsed, M, Yeo, Y.K., Hengehold, R. L.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2005, Vol. 892 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Electrical Characterization of As and [As+Si] doped GaN Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
Autor: Ahoujja, M., Elhamri, S., Berney, R., Yeo, Y.K., Hengehold, R. L.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 831 Issue 1, p382-387, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
Electrical properties of MBE grown Si-doped Al xGa 1−xN as a function of nominal Al mole fraction up to 0.5.
Autor: Ahoujja, M., Yeo, Y. K., Hengehold, R. L., Van Nostrand, J. E.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 680 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Influence of arsenic doping on the electrical properties of GaN epitaxial layers grown by MOCVD.
Autor: Ahoujja, M., Yeo, Y.K., Hengehold, R.L., Guido, L.J., Mitev, P., Johnstone, D.K., Kim, Y.H.
Publikováno v: 2000 International Semiconducting & Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046); 2000, p27-30, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje