Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"Ahn GH"'
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry C, vol 124, iss 22
The Journal of Physical Chemistry C, vol 124, iss 22
The Journal of Physical Chemistry C, vol 124, iss 22
Atomically thin semiconductors such as monolayer MoS2 and WS2 exhibit nonlinear exciton-exciton annihilation at notably low excitation densities (below ∼10 excitons/μm2 in exfoliated MoS2). Here, we show that the density threshold at which annihil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b6ffcc9144dd8e79da9006a28b0bfdb8
https://escholarship.org/uc/item/1dp2g4fp
https://escholarship.org/uc/item/1dp2g4fp
Autor:
Bullock, J, Amani, M, Cho, J, Chen, YZ, Ahn, GH, Adinolfi, V, Shrestha, VR, Gao, Y, Crozier, KB, Chueh, YL, Javey, A
Publikováno v:
Nature Photonics, vol 12, iss 10
Infrared photodetectors are currently subject to a rapidly expanding application space, with an increasing demand for compact, sensitive and inexpensive detectors. Despite continued advancement, technological factors limit the widespread usage of suc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7c0e0418afc2d3560168d6aec0ef461c
https://escholarship.org/uc/item/75z0v1xs
https://escholarship.org/uc/item/75z0v1xs
Autor:
Desai, SB, Madhvapathy, SR, Sachid, AB, Llinas, JP, Wang, Q, Ahn, GH, Pitner, G, Kim, MJ, Bokor, J, Hu, C, Wong, HSP, Javey, A
Publikováno v:
Desai, SB; Madhvapathy, SR; Sachid, AB; Llinas, JP; Wang, Q; Ahn, GH; et al.(2016). MoS2transistors with 1-nanometer gate lengths. Science, 354(6308), 99-102. doi: 10.1126/science.aah4698. UC Berkeley: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/5157q7f4
© 2016, American Association for the Advancement of Science. All rights reserved. Scaling of silicon (Si) transistors is predicted to fail below 5-nanometer (nm) gate lengths because of severe short channel effects. As an alternative to Si, certain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::177fd4b64d6b3005e1ee62d4ebefc797
http://www.escholarship.org/uc/item/5157q7f4
http://www.escholarship.org/uc/item/5157q7f4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.