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pro vyhledávání: '"Agustín Ferreres"'
Autor:
Enrique Maset, Juan Bta. Ejea, Agustín Ferreres, José Luis Lizán, Jose Manuel Blanes, Esteban Sanchis-Kilders, Ausias Garrigós
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 24, p 6583 (2020)
This paper presents the possibility of using Gallium Nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) instead of the conventional silicon metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) to implement a high-frequency intermediate bu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/098b23e39f9743feaf47de6825cce9cf
Autor:
Gilabert, David, Sanchis-Kilders, Esteban, Martinez, Pedro J., Maset, Enrique, Ferreres, Agustin, Esteve, Vicente
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industrial Electronics; Jan2021, Vol. 68 Issue 1, p304-311, 8p
Autor:
Maset, Enrique1 (AUTHOR) Enrique.maset@uv.es, Ejea, Juan Bta.1 (AUTHOR) agustin.ferreres@uv.es, Ferreres, Agustín1 (AUTHOR) J.L.Lizan@uv.es, Lizán, José Luis1 (AUTHOR) esteban.sanchis@uv.es, Blanes, Jose Manuel2 (AUTHOR) jmblanes@umh.es, Sanchis-Kilders, Esteban1 (AUTHOR), Garrigós, Ausias2 (AUTHOR) augarsir@umh.es
Publikováno v:
Energies (19961073). Dec2020, Vol. 13 Issue 24, p6583. 1p.
Publikováno v:
2015 International Conference on Circuits, Power & Computing Technologies [ICCPCT-2015]; 2015, p1-6, 6p
Autor:
Esteve, Vicente, Jordan, Jose, Sanchis-Kilders, Esteban, Dede, Enrique J., Maset, Enrique, Ejea, Juan B., Ferreres, Agustin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industrial Electronics; Nov2015, Vol. 62 Issue 11, p6905-6914, 10p
Autor:
Esteve, Vicente, Jordan, Jose, Sanchis-Kilders, Esteban, Dede, Enrique J., Maset, Enrique, Ejea, Juan B., Ferreres, Agustin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industrial Electronics; Mar2015, Vol. 62 Issue 3, p1440-1450, 11p
Autor:
Esteve, Vicente, Jordan, Jose, Sanchis-Kilders, Esteban, Dede, Enrique J., Maset, Enrique, Ejea, Juan B., Ferreres, Agustin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industrial Electronics; May2014, Vol. 61 Issue 5, p2564-2572, 9p
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