Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Aging state of IGBT"'
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 9, Iss , Pp 1432-1446 (2023)
The insulated gate bipolar transistor (IGBT) is widely used in the power electronic system, but its aging state is difficult to predict in advance due to the complicated failure mechanism, which will affect the performance of the equipment, and even
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a3a9d95122fd45eb92b3f8db9da20125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.