Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Aghajanian, Martik"'
We present theoretical calculations of the optical spectrum of monolayer MoS$_2$ with a charged defect. In particular, we solve the Bethe-Salpeter equation based on an atomistic tight-binding model of the MoS$_2$ electronic structure which allows cal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.04268
We use an atomistic approach to study the electronic properties of monolayer and bilayer black phosphorus in the vicinity of a charged defect. In particular, we combine screened defect potentials obtained from first-principles linear response theory
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.05470
Autor:
Wentink, Mark, Gaberle, Julian, Aghajanian, Martik, Mostofi, Arash A., Curson, Neil J., Lischner, Johannes, Schofield, Steven R., Shluger, Alexander L., Kenyon, Anthony J.
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry C (2021)
Nominally-pure black phosphorus (BP) is commonly found to be a p-type semiconductor, suggesting the ubiquitious presence of impurity species or intrinsic, charged defects. Moreover, scanning tunnelling microscopy (STM) images of black phosphorus reve
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.09808
Autor:
Aghajanian, Martik, Schuler, Bruno, Cochrane, Katherine A., Lee, Jun-Ho, Kastl, Christoph, Neaton, Jeffrey B., Weber-Bargioni, Alexander, Mostofi, Arash A., Lischner, Johannes
Publikováno v:
Phys. Rev. B 101, 081201 (2020)
A detailed understanding of charged defects in two-dimensional semiconductors is needed for the development of ultrathin electronic devices. Here, we study negatively charged acceptor impurities in monolayer WS$_2$ using a combination of scanning tun
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.02320
Adsorbate engineering is a promising route for controlling the electronic properties of monolayer transition-metal dichalcogenide materials. Here, we study shallow bound states induced by charged adatoms on MoS$_2$ using large-scale tight-binding sim
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.02167
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aghajanian, Martik
Charged defects are frequently observed in quasi two-dimensional (2D) semiconductors such as monolayer transition-metal dichalcogenides (TMDCs) and few-layer black phosphorus (BP), and can have a significant effect on the performance of such material
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8a3de718ec44d8cbd8c0a02929430d7
http://hdl.handle.net/10044/1/93714
http://hdl.handle.net/10044/1/93714
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.