Zobrazeno 1 - 7 of 7 pro vyhledávání: '"Agboton, Alain"'
1
Dissertation/ Thesis
Études théorique et expérimentale de dispositifs à hétérojonction AL(Ga, In)N/GaN pour des applications de puissances en bande Q (40.5 - 43.5GHz)
Autor: Agboton, Alain
Ce travail de thèse a consisté à faire une étude théorique et expérimentale des transistors HEMTs Al(In,Ga)N/GaN. Il a été réalisé au sein du groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à L’IEMN. Il s’articule autour de q
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2016LIL10047/document
Zobrazit plný text záznamu
2
Caractérisation et étude du temps de transit des électrons dans une structure HEMT à hétérojonction InAlN/GaN
Autor: Agboton, Alain
Publikováno v: Actes des 16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::09e1f40b9879837dfe13dc6c67bd72bc
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00957791
Zobrazit plný text záznamu
3
Electron delay analysis and image charge effect in AlGaN/GaN HEMT technology
Autor: Agboton, Alain, Defrance, N., Altuntas, Philippe, Avramovic, Vanessa, Cutivet, Adrien, Ouhachi, Rezki, de Jaeger, Jean-Claude, Bouzid-Driad, Samira, Hassan, Maher, Renvoise, M., Frijlink, Peter
Publikováno v: Proceedings of 43rd European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2013
43rd European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2013
43rd European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2013, 2013, Bucharest, Romania. pp.57-60, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818818⟩
A delay time analysis is carried out for SiN-passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on silicon substrate featuring gate length of 90 nm. The influence of high parasitics in the access pads is considered using de-embedding pro
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c4335849c6e6e32260467dfc5833d718
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00997378
Zobrazit plný text záznamu
4
AlN/SI interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides
Autor: Cutivet, Adrien, Agboton, Alain, Altuntas, Philippe, Lecourt, François, Lesecq, Marie, Defrance, N., Cordier, Yvon, Chmielowska, Magdalena, Rennesson, Stephanie, Camus, Julien, Aït Aïssa, Keltouma, Le Brizoual, Laurent, Djouadi, Mohamed Abdou, de Jaeger, Jean-Claude, Boone, F., Hassan, Maher
Publikováno v: Proceedings of 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013
37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013
37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.37-38
From the characterization of structure equivalent loss tangent under different conditions (bias and temperature) obtained through propagation constant and characteristic impedance extraction of CPW line, we propose a coherent analysis of the properti
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9f930368291941bf59de0b7d31d854fa
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00828412
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje