Zobrazeno 1 - 10 of 13 pro vyhledávání: '"Agarwala, Sambhu"'
1
Akademický článek
Response surface study of inductively coupled plasma etching of GaAs/AlGaAs in BCl3/Cl2.
Autor: Agarwala, Sambhu, King, Oliver, Horst, Scott, Wilson, Rick, Stone, Dennis, Dagenais, Mario, Chen, Y. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 1, p52-55, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
High-density inductively coupled plasma etching of GaAs/AlGaAs in BCl3/Cl2/Ar: A study using a mixture design experiment.
Autor: Agarwala, Sambhu, Horst, Scott C., King, Oliver, Wilson, Rick, Stone, Dennis, Dagenais, Mario, Chen, Y. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 2, p511-514, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Air-bridges, air-ramps, planarization, and encapsulation using pyrolytic photoresist in the fabrication of three-dimensional microstructures.
Autor: Porkolab, G. A., Chen, Y. J., Tabatabaei, Seyed Ahmad, Agarwala, Sambhu, Johnson, F. G., King, Oliver, Dagenais, M., Frizzell, Russell E., Beard, W. T., Stone, D. R.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1997, Vol. 15 Issue 6, p1961-1965, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Etch-mask of pyrolytic-photoresist thin-film for self-aligned fabrication of smooth and deep faceted three-dimensional microstructures.
Autor: Porkolab, G. A., Hsu, Shih-Hsiang, Hryniewicz, John V., Lin, Wenhua, Chen, Y. J., Agarwala, Sambhu, Johnson, F. G., King, Oliver, Dagenais, M., Stone, D. R.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 6, p3650-3653, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Reactive ion etching-induced damage in InAlAs/InGaAs heterostructure field-effect transistors processed in HBr plasma.
Autor: Fay, Patrick, Agarwala, Sambhu, Scafidi, Carl, Adesida, Ilesanmi, Caneau, Catherine, Bhat, Rajaram
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 6, p3322-3326, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Characteristics of selective reactive ion etching of InGaAs/InAlAs heterostructures using HBr plasma.
Autor: Agarwala, Sambhu, Adesida, Ilesanmi, Caneau, Catherine, Bhat, Rajaram
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 6, p2258-2261, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Depth distribution of reactive ion etching-induced damage in InAlAs/InGaAs heterostructures....
Autor: Agarwala, Sambhu, Adesida, Ilesanmi
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/30/1994, Vol. 64 Issue 22, p2979, 3p, 1 Diagram, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Selective reactive ion etching of InGaAs/InAlAs heterostructures in HBr plasma.
Autor: Agarwala, Sambhu, Adesida, Ilesanmi, Caneau, Catherine, Bhat, Rajaram
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/31/1993, Vol. 62 Issue 22, p2830, 3p, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje