Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Afanas Ev, V. V."'
2
Periodical
Positive charging of thermal SiO2 layers: hole trapping versus proton trapping
Autor: Afanas`ev, V. V., Adriaenssens, G. J., Stesmans, A.
Publikováno v: Microelectronic Engineering; 2001, Vol. 59 Issue: 1 p85-88, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Periodical
Defect generation in ultra-thin SiO2 gate layers and SiO2/ZrO2 gate stacks and the dispersive transport model
Autor: Houssa, M., Afanas`ev, V. V., Stesmans, A., Heyns, M. M.
Publikováno v: Microelectronic Engineering; 2001, Vol. 59 Issue: 1 p367-371, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Electron energy barriers at interfaces of GaAs(100) with LaAlO3 and Gd2O3.
Autor: Afanas—ev, V. V., Stesmans, A., Droopad, R., Passlack, M., Edge, L. F., Schlom, D. G.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 8/28/2006, Vol. 89 Issue 9, p092103, 3p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electron energy barriers at interfaces of GaAs(100) with LaAlO3 and Gd2O3.
Autor: Afanas—ev, V. V.1 valeri.afanasiev@fys.kuleuven.be, Stesmans, A.1, Droopad, R.2, Passlack, M.2, Edge, L. F.3, Schlom, D. G.3
Publikováno v: Applied Physics Letters. 8/28/2006, Vol. 89 Issue 9, p092103. 3p. 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje