Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Advanced FinFET technology"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-6 (2021)
Abstract This work proposed a modified plasma induced charging (PID) detector to widen the detection range, for monitoring the possible plasma damage across a wafer during advanced CMOS BEOL processes. New antenna designs for plasma induced damage pa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2048a2b10dbe452aa2d302480cd02be3
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-7 (2020)
Abstract High-density interconnects, enabled by advanced CMOS Cu BEOL technologies, lead to closely placed metals layers. High-aspect ratio metal lines require extensive plasma etching processes, which may cause reliability concerns on inter metal di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5f37579d9c740299df0877a13279660
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-7 (2019)
Abstract In this work, an observation on random telegraph noise (RTN) signal in the read current of a FinFET dielectric RRAM (FIND RRAM) device is presented. The RTN signal of a FIND RRAM cell is found to change after the device being subjected to cy
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8785a4a499b64373be8a6877eb354684
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
Abstract A novel device for monitoring plasma-induced damage in the back-end-of-line (BEOL) process with charge splitting capability is first-time proposed and demonstrated. This novel charge splitting in situ recorder (CSIR) can independently trace
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7382f592926c40ba864155c8d74835c4
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-7 (2019)
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters
In this work, an observation on random telegraph noise (RTN) signal in the read current of a FinFET dielectric RRAM (FIND RRAM) device is presented. The RTN signal of a FIND RRAM cell is found to change after the device being subjected to cycling str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::786a960e7b99cb7b60bdead9b67efa70
http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-018-2846-1
http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-018-2846-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
A novel device for monitoring plasma-induced damage in the back-end-of-line (BEOL) process with charge splitting capability is first-time proposed and demonstrated. This novel charge splitting in situ recorder (CSIR) can independently trace the amoun
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d4a696fe3b8a5d546253ba6f22a57b2c
http://europepmc.org/articles/PMC5603469
http://europepmc.org/articles/PMC5603469
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.