Zobrazeno 1 - 10
of 206
pro vyhledávání: '"Adikimenakis, A."'
Autor:
Vasileiadis Isaak G., Lymperakis Liverios, Adikimenakis Adam, Gkotinakos Athanasios, Devulapalli Vivek, Liebscher Christian H., Androulidaki Maria, Hübner Rene, Georgakilas Alexandros, Karakostas Theodoros, Komninou Philomela, Dimakis Emmanouil, Dimitrakopulos George P.
Publikováno v:
BIO Web of Conferences, Vol 129, p 24024 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cdbf3833be0a486899010a4c7a48a0fa
Autor:
I. G. Vasileiadis, L. Lymperakis, A. Adikimenakis, A. Gkotinakos, V. Devulapalli, C. H. Liebscher, M. Androulidaki, R. Hübner, Th. Karakostas, A. Georgakilas, Ph. Komninou, E. Dimakis, G. P. Dimitrakopulos
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-13 (2021)
Abstract InGaN/GaN quantum wells (QWs) with sub-nanometer thickness can be employed in short-period superlattices for bandgap engineering of efficient optoelectronic devices, as well as for exploiting topological insulator behavior in III-nitride sem
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a87fccd3d8543b7a8dff91ad0a5e57c
Autor:
J. Kuzmík, A. Adikimenakis, M. Ťapajna, D. Gregušová, Š. Haščík, E. Dobročka, K. Tsagaraki, R. Stoklas, A. Georgakilas
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 11, Iss 12, Pp 125325-125325-5 (2021)
Further progress of information technologies is hampered by the limited operational speed and frequency of contemporary electronic devices. Consequently, there is an intense quest for materials with the highest electron velocity. Over a decade, InN h
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0ee6aafd45834f4ab68d2de0624de590
Autor:
Doundoulakis, G., Adikimenakis, A., Stavrinidis, A., Tsagaraki, K., Androulidaki, M., Deligeorgis, G., Konstantinidis, G., Georgakilas, A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2019 158:1-10
Autor:
K. Yu. Arutyunov, E. A. Sedov, V. V. Zavialov, A. Stavrinidis, G. Stavrinidis, Z. Chatzopoulos, A. Adikimenakis, G. Konstantinidis, N. Florini, P. Chatzopoulou, T. Kehagias, G. P. Dimitrakopulos, P. Komninou
Publikováno v:
Physics of Metals and Metallography. 124:53-57
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2173c0029c7a74135d1b01ff52ae054d
https://doi.org/10.1134/s0031918x22602025
https://doi.org/10.1134/s0031918x22602025
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koutsoureli, M., Adikimenakis, A., Michalas, L., Papandreou, E., Stavrinidis, G., Konstantinidis, G., Georgakilas, A., Papaioannou, G.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 25 November 2014 130:69-73
Autor:
A. Adikimenakis, Liverios Lymperakis, M. Androulidaki, Emmanouil Dimakis, A. Gkotinakos, Alexandros Georgakilas, G. P. Dimitrakopulos, Philomela Komninou, Christian Liebscher, I. G. Vasileiadis, Theodoros Karakostas, Vivek Devulapalli, René Hübner
Publikováno v:
Scientific Reports
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-13 (2021)
Scientific Reports 11(2021), 20606
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-13 (2021)
Scientific Reports 11(2021), 20606
InGaN/GaN quantum wells (QWs) with sub-nanometer thickness can be employed in short-period superlattices for bandgap engineering of efficient optoelectronic devices, as well as for exploiting topological insulator behavior in III-nitride semiconducto
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0a1dc523d45732a7b03a37cec41e6049
http://europepmc.org/articles/PMC8523525
http://europepmc.org/articles/PMC8523525
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.