Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Adibi, Babak"'
Autor:
Adibi, Babak
In this study the energy and mass dependences of the carrier removal cross section for high energy (0.25-2.0 MeV) light ion (H[+], D[+] and He[+]) irradiation of n-type GaAs are investigated. The materials used were of two types: (i) semi-insulating
Externí odkaz:
https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.354227
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Adibi, Babak, Meniailenkov, Viktor
Publikováno v:
Solid State Technology. Jan2001, Vol. 44 Issue 1, p88. 4p. 2 Diagrams, 1 Graph.
Autor:
Haibing Huang, Jun Lv, Lichun Wang, JianBo Wang, Weicheng Zhu, Mandrell, Lisa, Sullivan, Jim, Adibi, Babak, Smith, Chris, Laine, Hannu, Savin, Hele
Publikováno v:
2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC); 2015, p1-6, 6p
Autor:
Adibi, Babak.
In this study the energy and mass dependences of the carrier removal cross section for high energy (0.25-2.0 MeV) light ion (H[+], D[+] and He[+]) irradiation of n-type GaAs are investigated. The materials used were of two types: (i) semi-insulating
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______305::50af909c62ad9f27fc7e256ef71175a2
https://surrey.eprints-hosting.org/847131/
https://surrey.eprints-hosting.org/847131/
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Adibi, Babak, Turner, Norman L., Marin, Tony, Lecouras, George T., Macklin, Ronald J., Boyd, Wendell J., Wagner, Dennis W., Wriggins, Walter J.
Publikováno v:
In Ion Implantation Technology - 92 1993:601-606