Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Achilov, A. S."'
Autor:
Utamuradova Sh. B., Daliev Kh. S., Daliev Sh. Kh., Muzafarova S. A., Uteniyazova A. B., Achilov A. S.
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 462, p 03011 (2023)
The composition and morphology of the n-Al2O3 transition oxide layer at the Al-CdTe interface and the n-MoO3 oxide layer at the CdTe–Mo interface were studied in this work. The Schottky barrier was formed by depositing a polycrystalline p-CdTe laye
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d7cd8ef635b408b960c0bc0db1dc8dc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Modern Physics Letters B; 11/30/2023, Vol. 37 Issue 33, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Teras Jurnal: Jurnal Teknik Sipil; Sep2024, Vol. 14 Issue 2, p428-441, 14p
Autor:
Uteniyazov, A. K.1 abat-62@mail.ru, Ismailov, K. A.1, Muratov, A. S.1 acmuratov74@gmail.com, Dauletmuratov, B. K.2 boribaidauletmuratov@gmail.com, Kamalov, A. B.2 akamalov@mail.ru
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2022, Vol. 25 Issue 2, p157-163. 7p.
Publikováno v:
E3S Web of Conferences; 7/11/2023, Vol. 401, p1-6, 6p
Publikováno v:
Modern Physics Letters B; 12/30/2023, Vol. 37 Issue 36, p1-28, 28p
Autor:
Uteniyazov, A. K.1 (AUTHOR), Leyderman, A. Y.2 (AUTHOR), Gafurova, M. V.3 (AUTHOR), Juraev, Kh. N.2 (AUTHOR), Dauletov, K. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Advances in Materials Science & Engineering. 1/31/2021, p1-6. 6p.