Zobrazeno 1 - 10 of 20 pro vyhledávání: '"Abrokwah, J. K."'
1
Akademický článek
Superlattice conduction in superlattice modulation-doped field-effect transistors.
Autor: Arch, D. K., Shur, M., Abrokwah, J. K., Daniels, R. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1987, Vol. 61 Issue 4, p1503, 7p, 3 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Electronic subbands for AlxGa1-xAs/GaAs multilayer and superlattice structures.
Autor: Ruden, P. P., Engelhardt, D. C., Abrokwah, J. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1987, Vol. 61 Issue 1, p294, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Mobility enhancement in highly doped GaAs quantum wells.
Autor: Shur, M. S., Abrokwah, J. K., Daniels, R. R., Arch, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1987, Vol. 61 Issue 4, p1643, 3p, 2 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Threshold characteristics and extended wavelength operation of GaAs1-x′Sbx′/ AlyGa1-yAs1-xSbx double-heterostructure lasers.
Autor: Nahory, R. E., Pollack, M. A., Abrokwah, J. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1977, Vol. 48 Issue 9, p3988-3990, 3p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Molecular beam epitaxy growth of high performance GaAs power field effect transistors.
Autor: Abrokwah, J. K., Geddes, J., Longerbone, M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1985, Vol. 3 Issue 5, p1323-1326, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Modulation-doped FET threshold voltage uniformity of a high throughput 3 inch MBE system.
Autor: Abrokwah, J. K., Cirillo, N. C., Helix, M. J., Longerbone, M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1984, Vol. 2 Issue 2, p252-255, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Growth and physical properties of Ga[sub 2]O[sub 3] thin films on GaAs(001) substrate by molecular-beam epitaxy.
Autor: Yu, Z., Overgaard, C. D., Droopad, R., Passlack, M., Abrokwah, J. K.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/5/2003, Vol. 82 Issue 18, p2978, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Thermally induced oxide crystallinity and interface destruction in Ga[sub 2]O[sub 3]–GaAs structures.
Autor: Passlack, M., Abrokwah, J. K., Yu, Z., Droopad, R., Overgaard, C., Kawayoshi, H.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/17/2003, Vol. 82 Issue 11, p1691, 3p, 2 Diagrams, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Liquid phase epitaxial growth and characterization of InAsxSb1−;xAND In1−yGaySb ON (111)B InSb substrates
Autor: Abrokwah, J. K., Gershenzon, M.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; March 1981, Vol. 10 Issue: 2 p379-421, 43p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
High purity and chrome-doped GaAs buffer layers grown by liquid phase epitaxy for mesfet application
Autor: Abrokwah, J. K., Hitchell, M. L., Borell, J. E., Schulze, D. R.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; July 1981, Vol. 10 Issue: 4 p723-746, 24p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje