Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Abramkin, D. S."'
Autor:
Shamirzaev, T. S., Debus, J., Abramkin, D. S., Dunker, D., Yakovlev, D. R., Dmitriev, D. V., Gutakovskii, A. K., Braginsky, L. S., Zhuravlev, K. S., Bayer, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 84, 155318 (2011)
The dynamics of exciton recombination in an ensemble of indirect band-gap (In,Al)As/AlAs quantum dots with type-I band alignment is studied. The lifetime of confined excitons which are indirect in momentum-space is mainly influenced by the sharpness
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1107.4121
Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) dalamber.07@mail.ru, Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Nenashev, A. V.1,2 (AUTHOR), Yesin, M. Yu.1 (AUTHOR), Vasev, A. V.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Bogomolov, D. B.1 (AUTHOR), Gutakovskiy, A. K.1,2 (AUTHOR), Preobrazhenskiy, V. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2021, Vol. 55 Issue 2, p194-201. 8p.
Autor:
Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR) maikdi@isp.nsc.ru, Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Vasev, A. V.1 (AUTHOR), Loshkarev, D. I.1 (AUTHOR), Yesin, M. Yu.1 (AUTHOR), Komkov, O. S.3 (AUTHOR), Firsov, D. D.3 (AUTHOR), Preobrazhenskii, V. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 12, p1548-1554. 7p.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) dalamber.07@mail.ru, Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Semyagin, B. R.1 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Preobrazhenskii, V. V.1 (AUTHOR), Gutakovskii, A. K.1,2 (AUTHOR), Shamirzaev, T. S.1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1143-1147. 5p.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) demid@isp.nsc.ru, Shamirzaev, T. S.1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. May2019, Vol. 53 Issue 5, p703-710. 8p.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2, Petrushkov, M. O.1, Putyato, M. A.1, Semyagin, B. R.1, Shamirzaev, T. S.1,2,3 tim@isp.nsc.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2018, Vol. 52 Issue 11, p1484-1490. 7p.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 demid@isp.nsc.ru, Bakarov, A. K.1, Gutakovskii, A. K.1,2, Shamirzaev, T. S.1,2,3
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2018, Vol. 52 Issue 11, p1392-1397. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abramkin, D. S., Putyato, M. A., Budennyy, S. A., Gutakovskii, A. K., Semyagin, B. R., Preobrazhenskii, V. V., Kolomys, O. F., Strelchuk, V. V., Shamirzaev, T. S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2012, Vol. 112 Issue 8, p083713, 10p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.