Zobrazeno 1 - 10
of 900
pro vyhledávání: '"ATLAS (SILVACO)"'
Autor:
Jankovic, Nebojsa
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2012 52(11):2537-2541
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Silicon. 11:145-152
This paper presents the results of an investigation of Passivated Emitter Rear Cell (PERC) solar cell technology and the current understanding of the fundamental device physics. The research work has been focused on the influence of the bulk lifetime
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d77d1e284fe197ead9c302b4a16ebc9b
https://doi.org/10.1007/s12633-018-9838-8
https://doi.org/10.1007/s12633-018-9838-8
Publikováno v:
Transactions on Electrical and Electronic Materials. 16:156-161
In this paper, we present simulation results obtained using SILVACO TCAD tools for a 3-D silicon on insulator (SOI) n-FinFET structure with a gate length of 8 nm at 300K. The effects of variations of the device's key electrical parameters, such as th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::77c38ea5364305b56d7a797249d59c07
https://doi.org/10.4313/teem.2015.16.3.156
https://doi.org/10.4313/teem.2015.16.3.156
Autor:
Nebojsa Jankovic
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 52:2537-2541
In this work, the two-dimensional numerical simulations of N -type CdSe polycrystalline (poly-) TFTs’ electrical characteristics are performed using a physically based device simulator Atlas/Silvaco. The analytical expressions of trap density model
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a972181f58ea4ddc8cf8e35becae1d6
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.03.031
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.03.031
Autor:
Goh, Y. X.1, Zakaria, N. F.1,2 norfarhani@unimap.edu.my, Tan, Y. L.1, Kasjoo, S. R.1,3, Shaari, S.1,3, Isa, M. M.1, Singh, A. K.4
Publikováno v:
International Journal of Nanoelectronics & Materials. 2021 Special Issue, Vol. 14, p87-93. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Maleki, Gh.R. Etaati
Publikováno v:
مجله علوم و فنون هستهای, Vol 41, Iss 3, Pp 37-44 (2020)
The accuracy of each simulating beta-voltaic battery parameter is very important, especially in micro-batteries. The aim of this study is to improve the calculation of beta-battery parameters’ accuracy. For this purpose, at first, using the Monte C
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0aabd8cb3b2f46a2a529cc6542396a15
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.