Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"ALD PROCESS"'
Autor:
Daniel Hessler, Ricardo Olivo, Tim Baldauf, Konrad Seidel, Raik Hoffmann, Chaiwon Woo, Maximilian Lederer, Yannick Raffel
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 7, Iss , Pp 100095- (2024)
This article reports an improvement in the low-frequency noise characteristics in hafnium oxide-based (HfO2) field-effect transistors by different precursor materials at ALD process. The Hafniumoxide on the devices were fabricated once with organic p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f020b3fa7bcf48608bfe1a3e39669a37
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sebastian Lehmann, Fanny Mitzscherling, Shiyang He, Jun Yang, Martin Hantusch, Kornelius Nielsch, Amin Bahrami
Publikováno v:
Coatings; Volume 13; Issue 3; Pages: 641
We developed a water-free atomic layer deposition (ALD) process to homogeneously deposit SbOx using SbCl5 and Sb-Ethoxide as precursors, and report it here for the first time. The coating is applied on Bi2Te3 particles synthesized via the solvotherma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1a69e98c235c63d17a356d149c6e5683
Autor:
Alexander Weiß, Georgi Popov, Elisa Atosuo, Anton Vihervaara, Pasi Jalkanen, Marko Vehkamäki, Markku Leskelä, Mikko Ritala, Marianna Kemell
Cesium iodide (CsI) is a well-established scintillator material that also serves as a precursor for all-inorganic halide perovskite solar absorbers, such as CsPbI3. However, the lack of conformal and scalable methods to deposit halide perovskite thin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a9a7c2a23b414cc0cb60499f37385e4c
http://hdl.handle.net/10138/349477
http://hdl.handle.net/10138/349477
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Elisa Atosuo, Kenichiro Mizohata, Miika Mattinen, Miia Mäntymäki, Marko Vehkamäki, Markku Leskelä, Mikko Ritala
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 40(2):022402. AVS Science and Technology Society
doi: 10.1116/6.0001629 Gadolinium fluoride is an attractive optical material with applications in, e.g., deep-UV lithography, solar cells, and medical imaging. Despite the interest toward this material, no atomic layer deposition (ALD) process has be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ec0b26fdc92c127b41a7621cf36ccc7
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85123643966&partnerID=8YFLogxK
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85123643966&partnerID=8YFLogxK
Autor:
Mikko Ritala, Heta-Elisa Nieminen
In this work, the reaction mechanism in the atomic layer deposition (ALD) process of AlF3 thin films is studied with in situ quartz crystal microbalance and quadrupole mass spectrometer. The depositions are done with AlCl3 and TiF4 as precursors. Sim
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f7399149c8d0016fe6b6a9a65548d7ac
http://hdl.handle.net/10138/339323
http://hdl.handle.net/10138/339323
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.