Zobrazeno 1 - 10
of 12 731
pro vyhledávání: '"ACCESS RESISTANCE"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 525-533 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the output characterises and gate-transconductance (Gm) linearity of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c34221d098044f9b9824c3b217190e5a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2023 209
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2022 193
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 July 2021 247
Publikováno v:
In Bioelectrochemistry February 2020 131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sahu, Subin, Zwolak, Michael
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics 20, 4646--4651 (2018)
The resistance due to the convergence from bulk to a constriction, for example, a nanopore, is a mainstay of transport phenomena. In classical electrical conduction, Maxwell, and later Hall for ionic conduction, predicted this access or convergence r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03327
