Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"A.Y. Kang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
John F. Conley, Gennadi Bersuker, A.Y. Kang, Jason T. Ryan, Patrick S. Lysaght, Patrick M. Lenahan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 52:2272-2275
We have identified the structure of three atomic scale defects which almost certainly play important roles in radiation damage in hafnium oxide based metal oxide silicon technology. We find that electron trapping centers dominate the HfO/sub 2/ radia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7d102acb7e1918812b67eea504bcd3f9
https://doi.org/10.1109/tns.2005.860665
https://doi.org/10.1109/tns.2005.860665
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:2636-2642
We have explored the radiation response of the HfO/sub 2//Si system with a combination of capacitance versus voltage and electron spin resonance measurements on capacitor and bare oxide structures subjected to /sup 60/Co gamma irradiation and vacuum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81744580d12b645674b78abaa0d744b9
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805334
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805334