Zobrazeno 1 - 10
of 133
pro vyhledávání: '"A.V. Khomich"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. V. Kanzyuba, Etienne Goovaerts, V. G. Ralchenko, Igor I. Vlasov, Vitali I. Konov, A.V. Khomich
Publikováno v:
Diamond and related materials
Ultrananocrystalline diamond (UNCD) films grown in an argon-rich Ar/CH 4 /H 2 microwave plasma with nitrogen gas added in amounts of 0%–20% were studied by Raman spectroscopy with multiple excitation wavelengths in the range of 244–647 nm and by
Autor:
A. A. Gippius, Igor I. Vlasov, A.V. Khomich, V. A. Dravin, E. V. Zavedeev, R. A. Khmelnitskiy
Publikováno v:
Physics of the Solid State. 49:1661-1665
Optical spectroscopy and volume “swelling” measurements were used to study radiation damage and graphitization of diamonds implanted with helium ions at temperatures from 77 to 373 K. It is established that the radiation damage decreases as the i
Publikováno v:
Vacuum. 78:583-587
Ellipsometric analysis of the buried graphitized layer formed in the He+-implanted and annealed diamond has been made. Spectroscopic ellipsometry data in the 360–1050 nm range at the incident angles between 65° and 75° were fitted based on a thre
Publikováno v:
Vacuum. 78:617-622
Physical as well as mathematical and technological aspects of the optimization for the forming process of dielectric microwaveguides on the basis of polymer/SiO2/Si systems with the implementation of ion irradiation technology are presented. The proc