Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"A.V. Gelatos"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 262:52-59
The selective chemical vapor deposition (CVD) of Cu was studied using (hfac)Cu(VTMS) (hfac 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-acetylacetonate; VTMS [ vinyltrimethylsilane) in the absence and presence of water during CVD with SiO2 surface passivation, deri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c93acbb1c07101656f79dc559498fcd1
https://doi.org/10.1016/0040-6090(94)05809-1
https://doi.org/10.1016/0040-6090(94)05809-1
Publikováno v:
MRS Bulletin. 19:49-54
Continued dimensional scaling of the elements of integrated circuits places significant restrictions on the width, density, and current carrying capability of metallic interconnects. It is expected that, by the year 2000, the transistor channel lengt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31770313eb98eaaa8bc31ef773530a81
https://doi.org/10.1557/s0883769400047734
https://doi.org/10.1557/s0883769400047734
Autor:
S. Venkatesan, A.V. Gelatos, S. Hisra, B. Smith, R. Islam, J. Cope, B. Wilson, D. Tuttle, R. Cardwell, S. Anderson, M. Angyal, R. Bajaj, C. Capasso, P. Crabtree, S. Das, J. Farkas, S. Filipiak, B. Fiordalice, M. Freeman, P.V. Gilbert, M. Herrick, A. Jain, H. Kawasaki, C. King, J. Klein, T. Lii, K. Reid, T. Saaranen, C. Simpson, T. Sparks, P. Tsui, R. Venkatraman, D. Watts, E.J. Weitzman, R. Woodruff, I. Yang, N. Bhat, G. Hamilton, Y. Yu
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
A high performance 0.20 /spl mu/m logic technology has been developed with six levels of planarized copper interconnects. 0.15 /spl mu/m transistors (L/sub gate/=0.15/spl plusmn/0.04 /spl mu/m) are optimized for 1.8 V operation to provide high perfor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9671715871b0475f5b82e54079b1028
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650495
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650495
Autor:
Kathleen A. Perry, Bich-Yen Nguyen, T. Saaranen, Matthew A. Thompson, Stanley M. Filipiak, L.B. La, Edward O. Travis, A.V. Gelatos, Navakanta Bhat, Phil Tobin, J. Peschke, R. Marsh
Publikováno v:
1995 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers.
The report describes the integration of copper into the backend of a two-level metal 0.5 /spl mu/m BiCMOS SRAM circuit. The circuit is used to evaluate the impact of copper on the device characteristics. The results of time dependent gate dielectric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60ef79704298420c92400aa23570fa14
https://doi.org/10.1109/vlsit.1995.520842
https://doi.org/10.1109/vlsit.1995.520842
Publikováno v:
Solar Cells. 24:287-297
Recent results obtained by applying two methods, drive-level capacitance profiling and transient photocapacitance spectroscopy, to the study of deep defects in undoped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) are reviewed. From the first method, we il
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::282f2af281f2f37b19c74fe0a05dab60
https://doi.org/10.1016/0379-6787(88)90080-4
https://doi.org/10.1016/0379-6787(88)90080-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.