Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"A.V. Chikiryaka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, V.I. Nikolaev, B.O. Kushnarev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, R.B. Timashov, M.P. Scheglov, P.N. Butenko, D.A. Almaev, E.V. Chernikov
Publikováno v:
Materials Today Communications. 34:105241
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a4c440f8717e18c5dfae181fdd886ba
https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.105241
https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.105241
Autor:
V. I. Nikolaev, M. A. Odnobludov, A.V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, Sergey Stepanov, A. I. Pechnikov
Publikováno v:
Semiconductors. 53:780-783
This work reports on the epitaxial-film growth and characterization of a new wide-gap semiconductor α-Ga2O3. Layers are deposited by chloride vapor phase epitaxy on sapphire substrates with a basal orientation. The thickness of the layers of the inv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef372a438e5471427e11c4d5dd4910a9
https://doi.org/10.1134/s1063782619060150
https://doi.org/10.1134/s1063782619060150
Publikováno v:
TRENDS IN THE DEVELOPMENT OF SCIENCE AND EDUCATION.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::359889c51a5cddf722ca10e3dc7160b6
https://doi.org/10.18411/lj-12-2020-63
https://doi.org/10.18411/lj-12-2020-63
Autor:
A.V. Chikiryaka, V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, V. V. Nikolaev, Sergey Stepanov, M.P. Sheglov
Publikováno v:
2019 Compound Semiconductor Week (CSW).
Gallium oxide columnar structures have been grown by halide vapour phase epitaxy (HVPE) on patterned (0001) sapphire substrates. The grown samples have been investigated by XRD, optical transmission spectroscopy and SEM. The formation of $\alpha$ -Ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8a56701cd620cfca590ca9618a4fcfe
https://doi.org/10.1109/iciprm.2019.8819271
https://doi.org/10.1109/iciprm.2019.8819271
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.